[发明专利]具有增大数量的位线的架构的三维存储设备有效
| 申请号： | 201980000491.0 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110024127B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了三维(3D)存储设备的实施例。3D存储设备具有的架构具有增大数量的位线。在示例中，3D存储设备包括衬底；多个存储器串，每个存储器串在存储区域中在衬底上方垂直延伸；以及在多个存储器串上方的多条位线。多条位线中的至少一条位线电连接到多个存储器串中的单个存储器串。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 数量 架构 三维 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储设备，包括：衬底；多个存储器串，每个存储器串在存储区域中在所述衬底上方垂直延伸；以及多条位线，其在所述多个存储器串上方，其中，所述多条位线中的至少一条位线电连接到所述多个存储器串中的单个存储器串。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
