[发明专利]具有增大数量的位线的架构的三维存储设备

权利要求书

1.一种三维3D存储设备，包括：

衬底；

多个存储器串，每个存储器串在存储区域中在所述衬底上方垂直延伸；

多条位线，其在所述多个存储器串上方，其中，所述多条位线中的至少一条位线电连接到所述多个存储器串中的单个存储器串；以及

沿所述存储区域的边界横向延伸的至少一个缝隙结构。

2.根据权利要求1所述的3D存储设备，其中，所述多个存储器串中的每一个存储器串电连接到所述多条位线中的单个不同的一条位线。

3.根据权利要求1所述的3D存储设备，其中，

所述多个存储器串布置为在所述存储区域中沿第一横向方向和第二横向方向延伸的阵列，所述第一横向方向垂直于所述第二横向方向；并且

所述多条位线沿所述第一横向方向进行布置并且沿所述第二横向方向延伸，所述多条位线彼此平行，其中，

在存储区域中，布置在沿所述第一横向方向的沟道间距中的位线的数量等于电连接到沿所述第二横向方向的位线的存储器串的数量。

4.根据权利要求3所述的3D存储设备，其中，

所述阵列布置在两个缝隙结构之间，每个缝隙结构沿所述第一横向方向横向延伸；并且

布置在所述沟道间距中的位线的数量等于在所述沟道间距中且在所述两个缝隙结构之间的存储器串的数量。

5.根据权利要求3-4中的任一项所述的3D存储设备，其中，所述沟道间距中的位线均匀间隔，沿所述第一横向方向的位线间距标称上等于所述沟道间距的1/N，N等于所述沟道间距中的位线的数量。

6.根据权利要求3-4中的任一项所述的3D存储设备，其中，所述阵列包括沿所述第二横向方向的至少六个串行。

7.根据权利要求6所述的3D存储设备，其中，N是正偶数。

8.根据权利要求1-4中的任一项所述的3D存储设备，其中，所述多个存储器串均包括沟道结构和在所述沟道结构上方的漏极，所述漏极电连接到相应的位线。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的3D存储设备，其中，没有切口结构与所述存储区域中的所述多个存储器串重叠，所述存储区域是指状物。

10.根据权利要求9所述的3D存储设备，还包括横向延伸并与所述多个存储器串交叉的多个交错的导体层和绝缘层，其中，第一导体层沿着其在所述存储区域中延伸的方向连续延伸。

11.一种三维3D存储系统，包括：

存储器叠层，其包括在衬底上方的绝缘结构中的多个交错的导体层和绝缘层；

多个存储器串，其沿存储区域的第一横向方向和第二横向方向在所述存储器叠层中延伸，所述多个存储器串中的每一个垂直延伸到所述衬底中；

多条位线，其在所述多个存储器串上方并且电连接到所述多个存储器串，其中，所述多条位线中的至少一条位线电连接到所述多个存储器串中的单个存储器串；

多个外围设备，其电连接到所述多个存储器串；以及

沿所述存储区域的边界横向延伸的至少一个缝隙结构。

12.根据权利要求11所述的3D存储系统，其中，所述多个存储器串中的每一个存储器串电连接到所述多条位线中的单个不同的一条位线。

13.根据权利要求11所述的3D存储系统，其中，

所述多个存储器串布置为在所述存储区域中沿所述第一横向方向和所述第二横向方向延伸的阵列，所述第一横向方向垂直于所述第二横向方向；并且

所述多条位线沿所述第一横向方向进行布置并且沿所述第二横向方向延伸，所述多条位线彼此平行，其中，

在存储区域中，布置在沿所述第一横向方向的沟道间距中的位线的数量等于电连接到沿所述第二横向方向的位线的存储器串的数量。