[实用新型]一种用于半导体电容芯片的熔锡装置有效
| 申请号： | 201922224718.X | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN211651194U | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市松冠科技有限公司 |
| 主分类号： | F27B14/00 | 分类号： | F27B14/00;F27B14/08;F27D27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107 广东省深圳市光明新区公明街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于半导体电容芯片的熔锡装置，包括熔锡炉本体，所述熔锡炉本体的后端两侧外表面均固定安装有安装支架，所述安装支架的上端中部外表面固定安装有气缸，所述气缸的下端外表面固定安装有活塞柱，所述活塞柱的外表面滑动安装有活动环，所述活塞柱的下端外表面固定连接有防护盖。本实用新型装置通过设置的气缸、活塞柱、防护盖、搅拌手柄、橡胶垫与横向连接杆，搅拌杆通过搅拌手柄的转动在熔锡盆的内部对熔化的锡液体进行搅拌，搅拌杆在搅拌过程中搅拌杆通过外表面固定连接的搅拌连接条与锡液体接触，如果碰撞的锡液体中有固体与搅拌连接条相互碰撞说明锡料没有完全被熔化，需要不断的搅拌使锡材料受热均匀直至完全被熔化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 电容 芯片 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市松冠科技有限公司，未经深圳市松冠科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201922224718.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垃圾填埋场渗透液渗漏及其位置检测装置
- 下一篇：一种大容量不易倒暗处清扫工具
