[实用新型]一种带隙基准电路有效
| 申请号： | 201922187607.6 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN211015192U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 黄敬馨;章国豪;刘祖华 | 申请（专利权）人： | 东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 许尤庆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种带隙基准电路，包括产生单元、电源抑制比提高单元、偏置单元电路，所述产生单元包括一个基本电流镜带隙基准电路结构，所述电源抑制比提高单元包括一运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述偏置电路包括一PMOS管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻，第二电阻与第三PMOS管的漏极连接处为基准电压输出端；本实用新型的有益效果是，达到了使正负输入端电压更为一致的效果，使得带隙基准电路的精度进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电路 | ||
【主权项】：
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