[实用新型]半导体结构和存储器有效
| 申请号： | 201922134481.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN210837653U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构和一种存储器，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；位于所述栅极凹槽内的栅极结构。上述方法形成的半导体结构的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
