[实用新型]半导体结构和存储器有效
| 申请号： | 201922134481.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN210837653U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 存储器 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；
同时位于所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构内的栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；
位于所述栅极凹槽内的栅极结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的深度差小于等于50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽底部的有源区顶部边缘的顶角圆滑。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽的深度一致，所述栅极凹槽的底部平坦。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：覆盖所述栅极凹槽内壁的栅介质层；在所述栅介质层表面填充满所述栅极凹槽的栅极。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内形成有若干阵列排列的所述有源区；包括两个以上所述栅极凹槽，且各栅极凹槽之间平行排列，且每个所述栅极凹槽横跨至少两个有源区。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的半导体结构。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器为DRAM存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
