[实用新型]一种管式PECVD净化台设备有效
申请号: | 201922122328.1 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN210974869U | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 周佑丞;张春成;李晔纯;成秋云;吴得轶 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;H01L31/18 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种管式PECVD净化台设备,包括主框架、上下料系统、输送滑台和缓存架,缓存架设于主框架内,且缓存架包括多层用于存放石墨舟的缓存位,主框架对应每层缓存位设有反应炉对接窗口,输送滑台设于主框架的底部用于输送石墨舟进出主框架,上下料系统包括三轴移动模组和设于三轴移动模组上的托舟机构,三轴移动模组用于驱动托舟机构与输送滑台对接、用于驱动托舟机构与各缓存位对接以及用于驱动托舟机构穿过反应炉对接窗口进出对应的反应炉内。本实用新型仅通过一个三轴上下料系统,可实现PECVD设备石墨舟进出反应炉、缓存架及输送滑台全部动作,简化了设备结构的复杂性,优化了设备内部操作空间布局,提升石墨舟传送速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 净化 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的