[实用新型]一种半导体外延器件有效
| 申请号： | 201922094445.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211062723U | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 钟瑞伦;吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体外延器件，包括衬底、应力中和层以及外延层，其中衬底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面，应力中和层设置于衬底的第二表面，外延层设置于衬底的第一表面。本实用新型披露的半导体外延器件通过应力中和层与外延层之间的应力相互抵消，令半导体外延器件的翘曲度小于50μm，如此一来能够提高所述半导体外延器件的制备工艺的工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 器件 | ||
【主权项】：
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