[实用新型]一种半导体外延器件有效
| 申请号： | 201922094445.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN211062723U | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 钟瑞伦;吴俊鹏 | 申请（专利权）人： | 吴俊鹏;陈纪宇 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾新竹市北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体外延器件，其特征在于，包括：
衬底，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
应力中和层，设置于所述衬底的所述第二表面；以及
外延层，设置于所述衬底的所述第一表面。
2.如权利要求1所述的半导体外延器件，其特征在于，所述应力中和层的厚度范围介于50至1000nm。
3.如权利要求1所述的半导体外延器件，其特征在于，所述应力中和层的材料为介电质。
4.如权利要求3所述的半导体外延器件，其特征在于，所述介电质为氧化硅或氮化硅。
5.如权利要求1所述的半导体外延器件，其特征在于，所述外延层的厚度范围介于500至6000nm。
6.如权利要求1所述的半导体外延器件，其特征在于，所述衬底的厚度范围介于500至1200μm。
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