[实用新型]一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器有效
| 申请号： | 201922020277.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN211125386U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何鹏飞;易建超 | 申请（专利权）人： | 东莞市美志电子有限公司;湖南美志科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/14 | 分类号： | H01G9/14 |
| 代理公司： | 东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙) 44450 | 代理人： | 肖冬 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及电容技术领域，尤其涉及一种耐高压陶瓷电容芯片及柱状电容器。耐高压陶瓷电容芯片包括管状的陶瓷体，陶瓷体的外侧面中部设有环形的凹孔，凹孔的两侧分别形成绝缘凸环，所述环形的凹孔的底面覆盖有外电极，所述陶瓷体的内孔侧面覆盖有内电极，且内电极的表面积为外电极的表面积的1.0倍~1.1倍。通过在陶瓷体的两端设置绝缘凸环，可提高其爬电距离，进而可提高其耐压性，有利于提高柱状电容器的耐高压性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 陶瓷 电容 芯片 柱状 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市美志电子有限公司;湖南美志科技有限公司，未经东莞市美志电子有限公司;湖南美志科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201922020277.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
