[实用新型]芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备有效
| 申请号: | 201921978204.7 | 申请日: | 2019-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN211017016U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
| 发明(设计)人: | 王丽荣;张春卿;吕慧敏;李琪 | 申请(专利权)人: | 北京信息职业技术学院 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 麻雪梅 |
| 地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及集成电路工艺设备领域,提供了芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备。芯片制造氧化设备的导流板包括相互连接的至少两块板体,其中,每块板体上分别分布有导流孔组,并且相邻两块板体上的导流孔组之间的孔间距和/或孔直径彼此不同。通过这种设置方式可以利用不同孔间距和/或孔直径的导流孔对气流进行引导,从而使得在实际使用过程中气流能够均匀流过晶圆表面。当将此导流板安装在氧化设备的微环境内时,可以使气流从微环境的一侧均匀的流向另一侧,并且实现水平层流的效果,进而使微环境内气体水平流过晶圆表面,避免微环境内的颗粒物落在晶圆表面上。满足集成电路氧化工艺设备晶圆表面工艺要求。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 制造 氧化 设备 导流 用于 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





