[实用新型]芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备

说明书

本实用新型涉及集成电路工艺设备领域，提供了芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备。芯片制造氧化设备的导流板包括相互连接的至少两块板体，其中，每块板体上分别分布有导流孔组，并且相邻两块板体上的导流孔组之间的孔间距和/或孔直径彼此不同。通过这种设置方式可以利用不同孔间距和/或孔直径的导流孔对气流进行引导，从而使得在实际使用过程中气流能够均匀流过晶圆表面。当将此导流板安装在氧化设备的微环境内时，可以使气流从微环境的一侧均匀的流向另一侧，并且实现水平层流的效果，进而使微环境内气体水平流过晶圆表面，避免微环境内的颗粒物落在晶圆表面上。满足集成电路氧化工艺设备晶圆表面工艺要求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺设备领域，特别是涉及芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备。

背景技术

在集成电路芯片的制造过程中，包含诸多工艺过程，其中芯片的氧化工艺也是非常重要的环节，主要完成超薄氮氧化硅薄膜生长、氧化硅薄膜生长等工艺的需求，在超薄氧化层的工艺制程中，细小颗粒污染会直接影响到产品的良品率。因此需要严格地控制颗粒对晶圆的污染,其中实现微环境内气体的水平层流是降低晶圆表面颗粒污染和均匀降低晶圆表面温度的重要方式，能有效减少工艺过程中带来的颗粒污染,使氧化炉设备能够满足纳米级器件的工艺要求。

但是目前市场上很多设备，其设备的风循环系统一般设计为由微环境一侧进入，另一侧排出，均是局限在某一区域或者气体倾斜吹扫流过晶片区域，不能实现气体的层流，导致会有颗粒落在晶片上，形成颗粒污染，造成晶片良率下降。因此通过改善微环境内部气体循环，实现层流流过硅片表面是降低晶片表面颗粒、提升晶片生产良率至关重要。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的在于提供芯片制造氧化设备的导流板和用于芯片制造的氧化设备，以至少实现使气流能够均匀流动。

根据本实用新型第一方面的实施例，提供了一种芯片制造氧化设备的导流板，所述导流板包括相互连接的至少两块板体，其中，每块所述板体上分别分布有导流孔组，并且相邻两块所述板体上的导流孔组之间的孔间距和/或孔直径彼此不同。

根据本实用新型的实施例，每块所述板体上的导流孔组包括第一导流孔子组和第二导流孔子组，其中，所述第一导流孔子组和所述第二导流孔子组的孔间距相同且孔直径不同。

根据本实用新型的实施例，所述第一导流孔子组的孔直径小于所述第二导流孔子组的孔直径。

根据本实用新型的实施例，沿每块所述板体的长边的延伸方向，所述第一导流孔子组所在区域的长度大于所述第二导流孔子组所在区域的长度。

根据本实用新型的实施例，每块所述板体上分布的导流孔组中的全部导流孔的孔间距相同。

根据本实用新型的实施例，每块所述板体的形状、长度和宽度彼此相同。

根据本实用新型的实施例，每块所述板体的材质相同，且均为金属板。

根据本实用新型的实施例，所述导流板包括相互连接的四块板体，其中，所述导流板的高度方向与每块所述板体的长边的延伸方向垂直。

根据本实用新型的实施例，沿所述导流板的高度方向，最上层所述板体的导流孔组的孔间距大于最底层所述板体的导流孔组的孔间距。

根据本实用新型第二方面的实施例，提供了一种用于芯片制造的氧化设备，包括腔室以及如上所述的芯片制造氧化设备的导流板，其中，所述导流板安装在所述腔室的侧壁上。

本实用新型的有益效果在于：