[实用新型]一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置有效
申请号: | 201921859837.6 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN210657118U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 马毅;谢续友;黄先伟;俞越翎;张泰华 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310014 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置,包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置,所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘,所述吸环上均匀分布吸气孔,所述连管与吸环相连通,所述半圆形密封盘设置在连管端部位置,所述吸环表面相对位置处设有支撑块,所述支撑块上设有紧固螺钉,并通过紧固螺钉与升降台相连。本实用新型的有益效果是:该装置设计结构合理,使用方便,应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜,使镀膜效率得到提高,对薄膜的制造领域具有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 磁控溅射 镀膜 沉积 速率 装置 | ||
【主权项】:
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