[实用新型]一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置

权利要求书

1.一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室（3）、设置真空腔室（3）顶部的密封盖（4）、穿设在密封盖（4）上的升降台（5）及固定设置在升降台（5）上的助吸装置（2），所述助吸装置（2）包括吸环（11）、连管（10）及半圆形密封盘（9），所述吸环（11）上均匀分布吸气孔（16），所述连管（10）与吸环（11）相连通，所述半圆形密封盘（9）设置在连管（10）端部位置，所述吸环（11）表面相对位置处设有支撑块（14），所述支撑块（14）上设有紧固螺钉（15），并通过紧固螺钉（15）与升降台（5）相连。

2.根据权利要求1所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述升降台（5）外表面设有基准刻度线（12），所述紧固螺钉（15）沿着基准刻度线（12）移动，并紧压在基准刻度线（12）位置，从而调节助吸装置（2）的高度。

3.根据权利要求1所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述连管（10）与半圆形密封盘（9）相连的一端的截面采用半圆形，另一端焊接设置在吸环（11）上。

4.根据权利要求1所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述半圆形密封盘（9）采用硅胶材料，且半圆形密封盘（9）与真空腔室（3）内壁相贴合。