[实用新型]一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置

说明书

本实用新型公开了一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆形密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。本实用新型的有益效果是：该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。

技术领域

本实用新型涉及真空磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射中助吸靶原子的装置。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

目前的磁控溅射镀膜仪中，溅射出的靶原子只有小部分能够沉积到基片上，剩下的都被真空泵抽走，尤其对于相对质量比较小的靶原子来说，更容易被抽走，因此大大制约了镀膜的效率。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于提供一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，以实现提高镀膜的效率。

本实用新型技术方案如下:

一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆形密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。

所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述升降台外表面设有基准刻度线，所述紧固螺钉沿着基准刻度线移动，并紧压在基准刻度线位置，从而调节助吸装置的高度。

所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述连管与半圆形密封盘相连的一端的截面采用半圆形，另一端焊接设置在吸环上。

所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述半圆形密封盘采用硅胶材料，且半圆形密封盘与真空腔室内壁相贴合。

本实用新型的有益效果是：1）通过在基片上方安装一个助吸装置，产生一个额外向上的吸力，增加靶原子沉积在基片上的数量，从而提高镀膜的效率。2）该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。

附图说明

图1为本实用新型的安装示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型的局部结构图；

图4为本实用新型的助吸装置示意图；

图中：1-排气口，2-助吸装置，3-腔室，4-密封盖，5-升降台，6-进气口，7-靶材，8-支座，9-半圆形密封盘，10-连管，11-吸环，12-基准刻度线，13-基片，14-连接块，15-紧固螺钉,16-吸气孔。

具体实施方式

以下结合说明书附图1-4，对本实用新型的技术方案做进一步的描述：