[实用新型]太阳能电池

摘要

本申请提供一种太阳能电池，包括半导体基片、金属电极及依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有设置在所述金属电极与隧穿层之间的第一部分、位于所述第一部分旁侧的第二部分，所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。所述掺杂多晶硅层的制备更简洁，通过局部掺杂得到掺杂浓度较高的第一部分，有效降低金属电极位置的界面复合与接触电阻；所述第二部分由于掺杂浓度较低，在对非电极区域进行钝化的同时，减少对光线的吸收。