[实用新型]太阳能电池

说明书

本申请提供一种太阳能电池，包括半导体基片、金属电极及依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有设置在所述金属电极与隧穿层之间的第一部分、位于所述第一部分旁侧的第二部分，所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。所述掺杂多晶硅层的制备更简洁，通过局部掺杂得到掺杂浓度较高的第一部分，有效降低金属电极位置的界面复合与接触电阻；所述第二部分由于掺杂浓度较低，在对非电极区域进行钝化的同时，减少对光线的吸收。

技术领域

本申请涉及太阳能发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池。

背景技术

随着光伏技术的快速发展，市场对于高效电池与组件的需求也不断增长。就晶硅电池而言，其正面多设置有钝化减反射层，正面电极穿透该钝化减反射层与硅基底接触；业内也已公开一种局部接触背钝化电池，即通过背面钝化膜降低表面载流子的复合，提高电池转换效率。

业内还公开一种采用隧穿氧化层、多晶硅膜层相结合的钝化结构，能够减小金属电极与硅基底直接接触所导致的复合损失，降低接触电阻，近来广受瞩目。但上述钝化结构中的多晶硅膜层具有较强的光吸收系数，因此会降低电池的短路电流，从而限制电池效率的提升。目前，主要通过在保证金属电极浆料不烧穿隧穿氧化层及该金属电极与多晶硅膜层形成良好欧姆接触的前提下，尽量降低多晶硅膜层的厚度，以减少电流损失；抑或仅在电池的金属电极区域采用上述钝化结构，难以兼顾电池的光线吸收与钝化效果。业内还公开了将隧穿层上的多晶硅掺杂层设置呈厚度不同的第一区以及第二区，金属电极位于厚度较大的第一区上，但不同厚度多晶硅掺杂层的制备工艺较复杂；且随着膜层整体厚度的减小，对上述多晶硅掺杂层不同区域的厚度进行差异化设置也更为困难。

鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池。

实用新型内容

本申请目的在于提供一种太阳能电池，能改善表面钝化性能，提高转换效率，且工艺更简洁。

为实现上述目的，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括半导体基片、金属电极及依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有设置在所述金属电极与隧穿层之间的第一部分、位于所述第一部分旁侧的第二部分，所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。

作为本申请实施例的进一步改进，所述第一部分的掺杂浓度为1E20～2E20cm^-3；所述第二部分的掺杂浓度为2E19～8E19cm^-3。

作为本申请实施例的进一步改进，所述掺杂多晶硅层的厚度设置为40～300nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述隧穿层设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜或由氧化硅膜与氮氧化硅膜两者相互层叠得到的复合膜，所述隧穿层的厚度设置为0.5～3nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述隧穿层的厚度设置为1～2nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层背离半导体基片一侧表面上的减反射层，所述金属电极穿透所述减反射层并与所述第一部分相接触。

作为本申请实施例的进一步改进，所述减反射层包括第一减反射膜层、层叠设置在第一减反射膜层背离所述半导体基片一侧表面上的第二减反射膜层，所述第一减反射膜层的厚度小于第二减反射膜层的厚度，且所述第一减反射膜层的折射率大于第二减反射膜层的折射率。

作为本申请实施例的进一步改进，所述太阳能电池设置为双面电池；所述隧穿层、掺杂多晶硅层依次层叠设置在所述半导体基片的背面。

作为本申请实施例的进一步改进，所述半导体基片的正面形成有扩散层，所述太阳能电池还包括层叠设置在所述扩散层表面的正面钝化层、正面减反射层以及贯穿所述正面钝化层、正面减反射层并与所述扩散层相接触的正面电极。