[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括半导体基片与金属电极，其特征在于：所述太阳能电池还包括依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有设置在所述金属电极与隧穿层之间的第一部分、位于所述第一部分旁侧的第二部分，所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的厚度设置为40～300nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜或由氧化硅膜与氮氧化硅膜两者相互层叠得到的复合膜，所述隧穿层的厚度设置为0.5～3nm。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层的厚度设置为1～2nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层背离半导体基片一侧表面上的减反射层，所述金属电极穿透所述减反射层并与所述第一部分相接触。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述减反射层包括第一减反射膜层、层叠设置在第一减反射膜层背离所述半导体基片一侧表面上的第二减反射膜层，所述第一减反射膜层的厚度小于第二减反射膜层的厚度，且所述第一减反射膜层的折射率大于第二减反射膜层的折射率。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池设置为双面电池；所述隧穿层、掺杂多晶硅层依次层叠设置在所述半导体基片的背面。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于：所述半导体基片的正面形成有扩散层，所述太阳能电池还包括层叠设置在所述扩散层表面的正面钝化层、正面减反射层以及贯穿所述正面钝化层、正面减反射层并与所述扩散层相接触的正面电极。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：所述扩散层包括位于所述正面电极下的重扩区、位于所述重扩区旁侧的轻扩区，所述重扩区的方阻设置为30～90ohm/squ，所述轻扩区的方阻设置为110～150ohm/squ。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化层设置为Al₂O₃膜层，所述Al₂O₃膜层的厚度设置为3～10nm。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述半导体基片为N型硅片，且所述半导体基片的电阻率设置为0.5～6Ω·cm。