[实用新型]一种窄尺寸矩阵沟槽栅极结构有效
| 申请号： | 201921833038.1 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN211208451U | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王西政 | 申请（专利权）人： | 无锡和达创芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡嘉驰知识产权代理事务所(普通合伙) 32388 | 代理人： | 盛际丰 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种窄尺寸矩阵沟槽栅极结构，属于半导体技术领域。栅极接触区有由多个沟槽形成的沟槽矩阵，所述沟槽矩阵包含至少2个沟槽，所述沟槽宽度为0.8‑1.0um，所述沟槽内填充多晶，所述栅极结构还包含栅极接触孔，所述栅极接触孔位于沟槽内的多晶上，所述栅极接触孔组成小孔矩阵，所述栅极接触孔宽度为0.4‑0.6um。本实用新型提供的沟槽栅极结构，可以明显改善栅源之间的漏流高的问题。欧姆接触没有明显的升高，栅源之间的漏流(Iges)失效明显降低。产品良率从平均78％，提升到平均86％，同时良率离散系数从25％降低到3.5％的合理区间。保证了沟槽MOSFET满足大生产要求，产品品质得到明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 矩阵 沟槽 栅极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡和达创芯科技有限公司，未经无锡和达创芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921833038.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高脚杯防撞衬垫
- 下一篇：一种结合式隐形盖梁城市桥梁结构
- 同类专利
- 专利分类
