[实用新型]读操作电路和半导体存储器有效
| 申请号： | 201921804618.8 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN211404065U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张良 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 包莉莉;武晨燕 |
| 地址： | 200336 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种读操作电路和半导体存储器，包括：DBI编码模块，用于从存储块中读出读取数据，并根据读取数据中为高的数据的位数，确定是否翻转读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供DBI信号线传输的DBI数据，DBI端口用于接收DBI数据；并串转换电路，用于对全局总线数据进行并串转换，以生成DQ端口的输出数据；数据缓冲模块，通过全局总线连接于存储块；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge下拉架构的全局总线上传输“0”的数据较多，从而可以减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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