[实用新型]读操作电路和半导体存储器

权利要求书

1.一种读操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括DQ端口、DBI端口和存储块，所述读操作电路包括：

DBI编码模块，连接于所述存储块，用于从所述存储块中读出读取数据，并根据所述读取数据中为高的数据的位数，确定是否翻转所述读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供DBI信号线传输的DBI数据，所述DBI端口用于接收所述DBI数据；

并串转换电路，通过所述全局总线连接于所述DQ端口和所述DBI编码模块之间，用于对所述全局总线数据进行并串转换，以生成所述DQ端口的输出数据；

数据缓冲模块，通过所述全局总线连接于所述存储块；

预充电模块，连接于预充电信号线，用于将所述全局总线的初始态设置为低，所述预充电模块包括多个NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接于所述预充电信号线，所述NMOS晶体管的漏极连接于所述全局总线。

2.根据权利要求1所述的读操作电路，其特征在于，所述DBI编码模块还用于输入预设值，并根据所述读取数据中为高的数据的位数与所述预设值输出所述DBI数据和所述全局总线数据。

3.根据权利要求1所述的读操作电路，其特征在于，所述读取数据和所述全局总线数据均被划分为M组，所述DBI数据为M位，M位DBI数据与M组读取数据一一对应，并且M位DBI数据与M组全局总线数据一一对应，所述并串转换电路还连接于所述DBI编码模块和所述DBI端口之间，用于将M位DBI数据并串转换后输出至所述DBI端口，其中，M为大于1的整数。

4.根据权利要求3所述的读操作电路，其特征在于，每组读取数据为N位，其中，N为大于1的整数，所述DBI编码模块用于根据输入的一组读取数据中为高的数据的位数与N/2的关系输出对应的一位DBI数据和对应的一组全局总线数据。

5.根据权利要求1所述的读操作电路，其特征在于，所述DBI编码模块包括：

DBI编码单元，所述DBI编码单元的输入端连接于所述存储块，所述DBI编码单元的输出端与所述DBI信号线连接，所述DBI编码单元用于输入预设值，并根据所述读取数据中为高的数据的位数与所述预设值输出所述DBI数据；

数据选择器，所述数据选择器的输入端连接于所述DBI编码单元，用于通过所述DBI编码单元接收所述读取数据，所述数据选择器的输入端还通过所述DBI信号线接收所述DBI数据，所述数据选择器的输出端通过所述全局总线连接于所述并串转换电路，所述数据选择器用于根据所述DBI数据和所述读取数据输出所述全局总线数据。

6.根据权利要求5所述的读操作电路，其特征在于，所述数据选择器包括多个数据选择单元，所述数据选择单元包括：

第一反相器，所述第一反相器的输入端通过所述DBI信号线接收所述DBI数据；

第二反相器，所述第二反相器的输入端连接于所述DBI编码单元，用于从所述DBI编码单元接收所述读取数据；

第一传输门，所述第一传输门的输入端连接于所述第二反相器的输出端，所述第一传输门的输出端与所述全局总线连接，用于输出所述全局总线数据，所述第一传输门的反控制端连接于所述第一反相器的输出端，所述第一传输门的正控制端通过所述DBI信号线接收所述DBI数据；

第二传输门，所述第二传输门的输入端连接于所述DBI编码单元，用于从所述DBI编码单元接收所述读取数据，所述第二传输门的输出端与所述全局总线连接，用于输出所述全局总线数据，所述第二传输门的反控制端通过所述DBI信号线接收所述DBI数据，所述第二传输门的正控制端连接于所述第一反相器的输出端。