[实用新型]薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置

摘要

本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置，所述薄膜半导体结构包括一像素(P11)，包括：光电二极管(102)，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管(106)，闸极耦接至光电二极管的阴极；第二薄膜晶体管(108)，漏/源极耦接至第一薄膜晶体管的一源/漏极，第二薄膜晶体管至少于曝光操作时被开启，使电流得以经过第二薄膜晶体管供应电流给第一薄膜晶体管；以及电容(110)，一端耦接于第一薄膜晶体管的源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。