[实用新型]薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置

权利要求书

1.一种薄膜半导体结构，其特征在于，包括：

像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：

光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的阴极；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏/源极耦接至所述第一薄膜晶体管的源/漏极，所述第二薄膜晶体管至少于所述曝光操作时被开启，使电流得以经过所述第二薄膜晶体管供应给所述第一薄膜晶体管；以及

电容，所述电容的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。

2.如权利要求1所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括行选择薄膜晶体管，所述行选择薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。

3.如权利要求2所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述行选择薄膜晶体管用来通过所述行选择薄膜晶体管的另一源/漏极，将所述电容中的所述电荷输出。

4.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括开关，所述开关的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极，所述开关的另一端耦接于所述行选择薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。

5.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括重置薄膜晶体管，所述重置薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述第一薄膜晶体管的所述闸极和所述光电二极管的阴极。

6.如权利要求5所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、行选择薄膜晶体管、所述重置薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的极性均相同。

7.一种图像传感器，其特征在于，包括：

如权利要求1-6中任意一项所述的薄膜半导体结构；以及

互补金属氧化物半导体结构，包括放大器耦接至所述薄膜半导体结构的所述像素阵列。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述放大器为电流模灵敏放大器，且所述电流模灵敏放大器包括：

运放，具有正端、负端和输出端；以及

另一电容，耦接于所述运放的所述负端和所述输出端之间，所述另一电容用来储存所述多个像素的至少其中之一所输出的电荷。

9.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，另包括微透镜，设置在所述薄膜半导体结构上。

10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，另包括滤光片，所述滤光片设置在所述薄膜半导体结构和所述微透镜之间或者设置于所述微透镜之上。

11.一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，其特征在于，所述手持装置包括：

显示面板；以及

如权利要求1-6中任一项所述的薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构设置于所述显示面板之下，用以感测所述特定对象的指纹。

12.一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，其特征在于，所述手持装置包括：

显示面板，包括显示区域以及指纹感测区域，其中所述指纹感测区域包括如权利要求1-6中任一项所述的薄膜半导体结构，用以感测所述特定对象的指纹。