[实用新型]薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置有效

申请号：	201921686042.X	申请日：	2019-10-10
公开（公告）号：	CN212010972U	公开（公告）日：	2020-11-24
发明（设计）人：	杨孟达	申请（专利权）人：	深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;H04N5/369;G06K9/00
代理公司：	北京天驰君泰律师事务所 11592	代理人：	孟锐
地址：	518045 广东省深***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	薄膜半导体结构图像传感器手持装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置，所述薄膜半导体结构包括一像素(P11)，包括：光电二极管(102)，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管(106)，闸极耦接至光电二极管的阴极；第二薄膜晶体管(108)，漏/源极耦接至第一薄膜晶体管的一源/漏极，第二薄膜晶体管至少于曝光操作时被开启，使电流得以经过第二薄膜晶体管供应电流给第一薄膜晶体管；以及电容(110)，一端耦接于第一薄膜晶体管的源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。

技术领域

本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置。

背景技术

随著手持装置上的指纹辨识功能的普及，对于屏幕上能够执行指纹辨识的区域面积要求也越来越高，使用互补金属氧化物半导体结构实现的图像传感器，其成本远远高于使用薄膜半导体结构实现的图像传感器，但使用薄膜半导体结构实现的图像传感器有许多缺点需要克服，例如使用薄膜半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管的操作速度远不及使用互补金属氧化物半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管。

因此，需要进一步改良及创新以克服上述问题。

实用新型内容

本申请的目的之一在于公开一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置，来解决上述问题。

本申请的一实施例公开了一种薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括：像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的阴极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏/源极耦接至所述第一薄膜晶体管的源/漏极，所述第二薄膜晶体管至少于所述曝光操作时被开启，使电流得以经过所述第二薄膜晶体管供应给所述第一薄膜晶体管；以及电容，所述电容的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器，包括上述的薄膜半导体结构；以及互补金属氧化物半导体结构，包括放大器耦接至所述薄膜半导体结构的所述像素阵列。

本申请的一实施例公开了一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，所述手持装置包括：显示面板，包括显示区域以及指纹感测区域，其中所述指纹感测区域包括上述的薄膜半导体结构，用以感测所述特定对象的指纹。

本申请所公开的薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置能在不影响效能的情况下降低成本。

附图说明

图1为本申请的图像传感器的实施例的示意图。

图2为本申请的薄膜半导体结构的第一实施例的示意图。

图3为本申请的薄膜半导体结构的第一实施例的操作时序图。

图4为本申请的薄膜半导体结构的第二实施例的示意图。

图5为本申请的薄膜半导体结构的第二实施例的操作时序图。

图6为本申请的薄膜半导体结构的第三实施例的示意图。

图7为本申请的薄膜半导体结构的第四实施例的示意图。

图8为本申请手持装置的实施例的示意图。