[实用新型]一种降低硅片碎片的上料吸片装置有效
申请号: | 201921675379.0 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN210272301U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 李伟;戴磊;王波波;吴斌华;夏康;蓝希旺 | 申请(专利权)人: | 中赣新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人: | 程嘉炜 |
地址: | 335000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型涉及上料吸片装置技术领域,且公开了一种降低硅片碎片的上料吸片装置,包括支架,所述支架的底部固定安装有底板,所述底板上固定安装有托盘,所述托盘的一侧固定安装有边框,所述边框固定安装在两个传送装置的中部,所述传送装置上活动放置有硅片,所述支架的顶部固定安装有顶板,所述顶板的底部固定安装有机械臂。本实用新型通过将以往的四点吸盘改为整体吸盘,加大吸附力度,改进了以往吸盘的吸力不均衡,避免吸盘因吸附力不均衡造成碎片现象,且对风口进行改进,将以往技术方案中的一孔式吹口改为风刀结构,能够将层叠的硅片吹动时,每片硅片分开,使吸盘只吸到一块硅片,操作效果大大提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 碎片 上料吸片 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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