[实用新型]一种降低硅片镀膜色差的卡点有效
申请号: | 201921664104.7 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN210167375U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 沈亚光;陈煜辉;吴静 | 申请(专利权)人: | 四川英发太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李英 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种降低硅片镀膜色差的卡点,包括卡点本体,卡点本体呈圆柱体,在卡点本体两侧各连接一个圆柱形的限位块,所述限位块轴线与卡点本体轴线重合,限位块远离卡点本体的一端设有环形凸台,环形凸台套设在限位块侧壁外周,环形凸台、限位块与卡点本体间围成一个限位槽,所述环形凸台外径为6.0mm,限位槽宽度为0.3mm。该卡点能够有效提升硅片与石墨舟舟叶的贴合度,进而避免硅片倾斜、掉片的现象,降低硅片镀膜色差。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 镀膜 色差 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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