[实用新型]一种降低硅片镀膜色差的卡点有效
| 申请号: | 201921664104.7 | 申请日: | 2019-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN210167375U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
| 发明(设计)人: | 沈亚光;陈煜辉;吴静 | 申请(专利权)人: | 四川英发太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 降低 硅片 镀膜 色差 | ||
1.一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,包括卡点本体(1),卡点本体(1)呈圆柱体,在卡点本体(1)两侧各连接一个圆柱形的限位块(2),所述限位块(2)轴线与卡点本体(1)轴线重合,限位块(2)远离卡点本体(1)的一端设有环形凸台(3),环形凸台(3)套设在限位块(2)侧壁外周,环形凸台(3)、限位块(2)与卡点本体(1)间围成一个限位槽(4),所述环形凸台(3)外径为6.0mm,限位槽(4)宽度为0.3mm。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述卡点本体(1)厚度为2.43-2.48mm。
3.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述环形凸台(3)轴线与限位块(2)轴线重合。
4.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述环形凸台(3)、限位块(2)和卡点本体(1)为一体式结构,且环形凸台(3)外侧面与限位块(2)的外侧端面位于同一平面上。
5.根据权利要求4所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,两个限位块(2)的外侧端面之间的距离为4.81-4.91mm。
6.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述限位槽(4)为环形槽,环形凸台(3)靠近限位槽(4)的一面为锥形斜面(31),该锥形斜面(31)与限位槽(4)底面夹角为120°。
7.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述限位块(2)直径为5±0.05mm,所述卡点本体(1)直径为9±0.05mm。
8.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜色差的卡点,其特征在于,所述卡点本体(1)上倒有45°的斜角(11)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





