[实用新型]一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件有效
| 申请号： | 201921597785.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210516745U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孟立智;袁凤坡;王静辉;唐兰香;白欣娇;宋士增;甘琨;高建海 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张建茹 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型设计了一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，属于半导体功率器件及其制备技术领域，其技术方案为由下向上依次设置的衬底层、缓冲层以及外延层，缓冲层为第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层，外延层包括AlGaN应力调控层、n‑AlGaN导电缓冲层、n‑GaN薄膜层、n‑AlGaN/n‑GaN超晶格应力缓解层、InGaN/GaN多量子阱结构层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑GaN薄膜层以及p‑GaN重掺层，其具有电流分布均匀、发热量少、工艺简单和有源区面积大等优点，大大提高了氮化镓基功率器件的工作性能，提升了器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 氮化 功率 器件 | ||
【主权项】：
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