[实用新型]一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件有效
| 申请号： | 201921597785.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210516745U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孟立智;袁凤坡;王静辉;唐兰香;白欣娇;宋士增;甘琨;高建海 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张建茹 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 氮化 功率 器件 | ||
1.一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，包括由下向上依次设置的衬底层(1)、缓冲层以及外延层，其特征在于：所述的衬底层(1)为碳化硅衬底层，外延层包括由下向上依次设置的AlGaN应力调控层(4)、n-AlGaN导电缓冲层(5)、n-GaN薄膜层(6)、n-AlGaN/n-GaN超晶格应力缓解层(7)、InGaN/GaN多量子阱结构层(8)、p-AlGaN电子阻挡层(9)、p-GaN薄膜层(10)以及p-GaN重掺层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特性在于：所述的缓冲层包括第一AlN缓冲层(2)以及位于其上方的第二AlN缓冲层(3)，第一AlN缓冲层(2)和第二AlN缓冲层(3)的生长厚度都是100nm。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：AlGaN应力调控层(4)为Al组分渐变的渐变式AlGaN层，AlGaN应力调控层(4)的厚度为80nm。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：n-AlGaN导电缓冲层(5)的厚度为100nm。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：n-GaN薄膜层(6)厚度为2μm。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：n-AlGaN/n-GaN超晶格应力缓解层(7)的厚度为2.5nm/16nm。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：InGaN/GaN多量子阱结构层(8)为5对2.5nm/15nm厚的InGaN/GaN多量子阱层。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：p-AlGaN电子阻挡层(9)的厚度为20nm。
9.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：p-GaN薄膜层(10)的厚度为200nm。
10.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，其特征在于：p-GaN重掺层(11)的厚度为10nm。
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