[实用新型]一种高耐压的高电子迁移率晶体管器件有效
| 申请号： | 201921442892.5 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN210467852U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 武成国 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种高耐压的高电子迁移率晶体管器件。高耐压的高电子迁移率晶体管器件，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、沟道层、形核层、基底；沟道层位于势垒层和基底之间，沟道层包括P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，其中形核层与漏电极在基底上的投影至少部分区域重合，漏电极与沟道层的二维电子气电接触，源电极与P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层电接触，栅电极位于势垒层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 电子 迁移率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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