[实用新型]集成磁隔离芯片的边沿检测电路及边沿转换电路有效

专利信息
申请号: 201921367598.2 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN210958308U 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;罗和平;程瑜;李威 申请(专利权)人: 宜宾市叙芯半导体有限公司
主分类号: H03K5/125 分类号: H03K5/125;H03K5/06
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 644000 四川省宜宾市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 集成磁隔离芯片的边沿检测电路和边沿转换电路,涉及集成电路技术。本实用新型包括:第一PMOS管,其源极接参考高电平,漏极接第二PMOS管的源极,栅极接信号输入端和第一输出点;第二PMOS管,其漏极接第二参考点,其栅极接第三PMOS管的栅极和漏极;第三PMOS管,其源极接参考高电平,其漏极通过第一电流源接地;第四NMOS管,其源极接地,栅极和漏极接第五NMOS管的栅极,漏极还接第二电流源的输出端;第五NMOS管,其源极接第六NMOS管的漏极,其漏极接第二输出点,漏极还通过电容接地;第六NMOS管,其源极接地,栅极接信号输入端。本实用新型的优点是电压比较稳定,没有了漏极寄生电容充放电的问题,开关速度快,而且没有电荷分流的问题。同时解决了数字控制信号电荷注入的问题。
搜索关键词: 集成 隔离 芯片 边沿 检测 电路 转换
【主权项】:
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