[实用新型]一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构有效
| 申请号： | 201921362601.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN210224041U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 | 申请（专利权）人： | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 400000 重庆市江北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 器件 电子 迁移率 结构 | ||
【主权项】：
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