[实用新型]一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构有效
| 申请号： | 201921362601.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN210224041U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 | 申请（专利权）人： | 聚力成半导体（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 400000 重庆市江北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 器件 电子 迁移率 结构 | ||
1.一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，包括衬底（1）、c-GaN层（4）、i-GaN层（5）和AlGaN barrier层（7），所述衬底（1）位于最底层，衬底（1）的上部设置有AIN缓冲层（2），AIN缓冲层（2）的上部设置有AlGaN缓冲层（3），AlGaN缓冲层（3）位于c-GaN层（4）的下方，i-GaN层（5）位于c-GaN层（4）的上方，AlGaN barrier层（7）位于i-GaN层（5）的上部，其特征在于，i-GaN层（5）和AlGaN barrier层（7）之间设置有AlN spacer层（6），AlGaN barrier层（7）的上部设置有P-AlInGaN层（8）。
2.根据权利要求1所述的提高氮化镓器件电子迁移率的结构，其特征在于，所述衬底（1）采用Si层或SiC层。
3.根据权利要求1所述的提高氮化镓器件电子迁移率的结构，其特征在于，所述衬底（1）的表面设置有至少一条凹下或者凸起的条状图形。
4.根据权利要求1所述的提高氮化镓器件电子迁移率的结构，其特征在于，所述P-AlInGaN层（8）的厚度为1-100nm。
5.根据权利要求1所述的提高氮化镓器件电子迁移率的结构，其特征在于，所述AlNspacer层（6）的厚度为1-5nm。
6.根据权利要求1所述的提高氮化镓器件电子迁移率的结构，其特征在于，所述AlGaNbarrier层（7）的厚度为15-30nm。
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