[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201921241124.3 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN210110837U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赵兵;庄家铭;仇美懿;吴亦容;陈凯 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括n个发光单元，n≥3，n个发光单元依次形成串联连接，n个发光单元均包括连接电极，n个发光单元通过连接电极形成导电连接，第1个发光单元和第n个发光单元还包括打线电极，所述打线电极用于封装打线，n个发光单元的有效发光面积相等。本实用新型每个发光单元的电压相同、亮度相同，高压芯片整体发光均匀，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 | ||
【主权项】：
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