[实用新型]用于腐蚀机台的喷淋系统有效
申请号: | 201921228257.7 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN210092040U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 诸嘉豪 | 申请(专利权)人: | 无锡迪思微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 贾传美;赵华 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种用于腐蚀机台的喷淋系统,包括:压力罐、主喷头、辅助喷头,压力罐出口接主管道,主管道的终端接三通阀,通阀的两个出口分别接支管,两个支管与主喷头、辅助喷头连接,且主喷头、辅助喷头可在对应的支管内旋转,压力罐内存储有腐蚀液,腐蚀液顺着主管道、三通阀进入到两个支管内,并通过主喷头、辅助喷头进行喷液,提高喷液流量;且由于两个喷头采用球形喷嘴,能够轻易调节角度,以适应不同大小的掩膜版,用于调节腐蚀液在掩膜版面上的落点,用于弥补掩膜版中心与边缘所出现的腐蚀速率差的问题,提高了腐蚀液喷洒的均匀性,因此产品的线宽均匀性有很大的提高。 | ||
搜索关键词: | 用于 腐蚀 机台 喷淋 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡迪思微电子有限公司,未经无锡迪思微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201921228257.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造