[实用新型]低损耗防反接的上电系统有效
| 申请号： | 201921202612.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN210053236U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 韩伟;祁华铭;周宣;陈庆旭 | 申请（专利权）人： | 上海金脉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H11/00;B60R16/033 |
| 代理公司： | 31229 上海唯源专利代理有限公司 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低损耗防反接的上电系统，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻。采用本实用新型的低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护、低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。 | ||
| 搜索关键词： | 上电开关 上电系统 防反接 本实用新型 输出控制 低损耗 输出端 输入端 使能 背靠背 低功耗设计 闭合 反接保护 分压电阻 负载供电 供电拓扑 后级电源 唤醒信号 低功耗 三极管 触发 解耦 硬线 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻，所述的上电开关包括背靠背串联的MOSFET Q1和MOSFET Q2，所述的MOSFET Q1的D极用于接入电源，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的MOSFET Q2的S极，所述的MOSFET Q1的G极接入所述的MOSFET Q2的G极，所述的MOSFET Q2的D极用于输出电流电压，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的CAN收发器的电源输入端，所述的CAN收发器设置唤醒模块，所述的唤醒模块的唤醒信号输入端设置二极管，且所述的唤醒模块设置成根据唤醒信号输出使能信号，所述的CAN收发器与所述的三极管相连接，所述的三极管通过两个分压电阻接入所述的MOSFET Q2的S极。/n
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