[实用新型]低损耗防反接的上电系统有效
| 申请号： | 201921202612.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN210053236U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 韩伟;祁华铭;周宣;陈庆旭 | 申请（专利权）人： | 上海金脉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H11/00;B60R16/033 |
| 代理公司： | 31229 上海唯源专利代理有限公司 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上电开关 上电系统 防反接 本实用新型 输出控制 低损耗 输出端 输入端 使能 背靠背 低功耗设计 闭合 反接保护 分压电阻 负载供电 供电拓扑 后级电源 唤醒信号 低功耗 三极管 触发 解耦 硬线 | ||
1.一种低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻，所述的上电开关包括背靠背串联的MOSFET Q1和MOSFET Q2，所述的MOSFET Q1的D极用于接入电源，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的MOSFET Q2的S极，所述的MOSFET Q1的G极接入所述的MOSFET Q2的G极，所述的MOSFET Q2的D极用于输出电流电压，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的CAN收发器的电源输入端，所述的CAN收发器设置唤醒模块，所述的唤醒模块的唤醒信号输入端设置二极管，且所述的唤醒模块设置成根据唤醒信号输出使能信号，所述的CAN收发器与所述的三极管相连接，所述的三极管通过两个分压电阻接入所述的MOSFET Q2的S极。
2.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的唤醒信号输入端包括至少一个硬线唤醒信号输入端，每个所述的硬线唤醒信号输入端均设置所述的二极管。
3.根据权利要求2所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的唤醒信号输入端包括点火信号输入端。
4.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的二极管为肖特基二极管。
5.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两S极之间的支路通过整流二极管连接在两G极之间的支路。
6.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两S极之间的支路通过两个分压电阻中的一个连接在相接入的两G极之间的支路，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两G极之间的支路通过两个分压电阻中的另一个连接在所述的三极管的集电极。
7.根据权利要求1所述的低损耗防反接的上电系统，其特征在于，所述的三极管的基极串联限流电阻。
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