[实用新型]低损耗防反接的上电系统

说明书

本实用新型涉及一种低损耗防反接的上电系统，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻。采用本实用新型的低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护、低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体是指一种低损耗防反接的上电系统。

背景技术

一般地，在车载电子控制器领域，要求电子控制器在唤醒信号有效之前工作于休眠状态(消耗电流<100uA)，通常的设计实现方式为采用带有低功耗模式的系统基础芯片SBC，然而这种实现方式存在以下问题：

(1)无法满足电池端反接保护需求，因此需要额外增加功率二极管，二极管的引入使得供电损耗增加且实际供电电压降低；

(2)为满足供电需求和休眠状态低功耗需求，硬线唤醒(点火信号或其他外部硬线唤醒信号)、远程唤醒(CAN通信)等，需要使用集成度较高的专用芯片，这种专用芯片不能避免地存在成本高、通用性差的缺点；

(3)供电拓扑受专用芯片限制，设计灵活性差。

因此，需要一种兼顾低损耗和防反接的上电系统

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护，低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种低损耗防反接的上电系统，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻，所述的上电开关包括背靠背串联的MOSFET Q1和MOSFET Q2，所述的MOSFET Q1的D极用于接入电源，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的MOSFET Q2的S极，所述的MOSFETQ1的G极接入所述的MOSFET Q2的G极，所述的MOSFET Q2的D极用于输出电流电压，所述的MOSFET Q1的S极接入所述的CAN收发器的电源输入端，所述的CAN收发器设置唤醒模块，所述的唤醒模块的唤醒信号输入端设置二极管，且所述的唤醒模块设置成根据唤醒信号输出使能信号，所述的CAN收发器与所述的三极管相连接，所述的三极管通过两个分压电阻接入所述的MOSFET Q2的S极。

可选的，所述的唤醒信号输入端包括至少一个硬线唤醒信号输入端，每个所述的硬线唤醒信号输入端均设置所述的二极管。

可选的，所述的唤醒信号输入端包括点火信号输入端。

可选的，所述的二极管为肖特基二极管。

可选的，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两S极之间的支路通过整流二极管连接在两G极之间的支路。

可选的，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两S极之间的支路通过两个分压电阻中的一个连接在相接入的两G极之间的支路，所述的MOSFET Q1和MOSFET Q2中两G极之间的支路通过两个分压电阻中的另一个连接在所述的三极管的集电极。

可选的，所述的三极管的基极串联限流电阻。

采用本实用新型的低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护、低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。