[实用新型]一种平面底栅型真空场发射三极管有效
| 申请号： | 201920957679.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209785911U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨超;兰新涛;饶铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市灿升实业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518115 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种平面底栅型真空场发射三极管，包括三极管外罩以及设置在三极管外罩内的真空腔，所述真空腔内设置有基底，所述基底上设置有栅极，所述栅极的上表面分别设置有第一电极和第二电极，在所述第一电极和与第二电极之间设置有薄膜卡架，所述薄膜卡架上设置有用于增大使用寿命的复合式导电薄膜，该设备设有导电限位薄膜，当制备真空沟道时，其只会在沟道限位槽内出现，使得沟道位置和长度被限制，且导电限位薄膜下方设置了开设分隔通孔的分隔凹台，即分隔凹台将沟道分成若干个，当电子通过薄膜时会先后通过分隔通孔和沟道，使得沟道长度被间接减小，即使设备长期使用沟道的变化也不会太大，使得电子传输速度不会被影响。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 薄膜 分隔 第二电极 第一电极 三极管 真空腔 凹台 导电 基底 卡架 通孔 外罩 限位 真空场发射三极管 本实用新型 导电薄膜 电子传输 沟道位置 使用寿命 真空沟道 底栅型 复合式 上表面 限位槽 减小 制备 | ||
【主权项】：
1.一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，包括三极管外罩(8)以及设置在三极管外罩(8)内的真空腔(801)，所述真空腔(801)内设置有基底(1)，所述基底(1)上设置有栅极(2)，所述栅极(2)的上表面分别设置有第一电极(4)和第二电极(3)，在所述第一电极(4)和与第二电极(3)之间设置有薄膜卡架(9)，所述薄膜卡架(9)上设置有用于增大使用寿命的复合式导电薄膜(5)；/n所述复合式导电薄膜(5)包括对导电真空沟道的制备位置进行限位的导电限位薄膜(6)以及对导电真空沟道进行分隔的辅助限位薄膜(7)。/n
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