[实用新型]一种平面底栅型真空场发射三极管

说明书

本实用新型实施例公开了一种平面底栅型真空场发射三极管，包括三极管外罩以及设置在三极管外罩内的真空腔，所述真空腔内设置有基底，所述基底上设置有栅极，所述栅极的上表面分别设置有第一电极和第二电极，在所述第一电极和与第二电极之间设置有薄膜卡架，所述薄膜卡架上设置有用于增大使用寿命的复合式导电薄膜，该设备设有导电限位薄膜，当制备真空沟道时，其只会在沟道限位槽内出现，使得沟道位置和长度被限制，且导电限位薄膜下方设置了开设分隔通孔的分隔凹台，即分隔凹台将沟道分成若干个，当电子通过薄膜时会先后通过分隔通孔和沟道，使得沟道长度被间接减小，即使设备长期使用沟道的变化也不会太大，使得电子传输速度不会被影响。

技术领域

本实用新型实施例涉及三极管领域，具体涉及一种平面底栅型真空场发射三极管。

背景技术

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，其中以真空场发射三极管的传输速度较高，且真空场发射三极管的组成结构中以导电薄膜和栅极较为重要。

在目前市场上常见的平面底栅型真空场发射三极管在生产过程中，需要在导电薄膜上制备出真空沟道，但现今的真空沟道在制备过程中无法对其大小和结构进行控制，一旦真空沟道制备的长度较大就极易使得三极管的正常使用受到影响，且导电薄膜在长期使用过程中，其上会积聚焦耳热使得沟道长度受到影响，之后三极管的传输速度便会受到影响。

实用新型内容

为此，本实用新型实施例提供一种平面底栅型真空场发射三极管，以解决现有技术中由于设备在生产过程中，需要在导电薄膜上制备出真空沟道，但现今的真空沟道在制备过程中无法对其大小和结构进行控制，一旦真空沟道制备的长度较大就极易使得三极管的正常使用受到影响，且导电薄膜在长期使用过程中，其上会积聚焦耳热使得沟道长度受到影响，之后三极管的传输速度便会受到影响的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的实施方式提供如下技术方案：

一种平面底栅型真空场发射三极管，包括三极管外罩以及设置在三极管外罩内的真空腔，所述真空腔内设置有基底，所述基底上设置有栅极，所述栅极的上表面分别设置有第一电极和第二电极，在所述第一电极和与第二电极之间设置有薄膜卡架，所述薄膜卡架上设置有用于增大使用寿命的复合式导电薄膜；

所述复合式导电薄膜包括对导电真空沟道的制备位置进行限位的导电限位薄膜以及对导电真空沟道进行分隔的辅助限位薄膜。

作为本实用新型的一种优选方案，所述导电限位薄膜上下表面的中心位置处均设置有限位凹槽，所述限位凹槽内设置有沟道限位槽。

作为本实用新型的一种优选方案，所述辅助限位薄膜在靠近导电限位薄膜的一侧表面设置有嵌入限位凹槽内的接入台，且在所述辅助限位薄膜的另一侧表面设置有透过凹槽。

作为本实用新型的一种优选方案，所述接入台的上表面等间距设置有若干个嵌入沟道限位槽内的分隔凹台，在若干个所述分隔凹台之间均设置有分隔卡块。

作为本实用新型的一种优选方案，所述分隔凹台上设置有与透过凹槽位置对应的分隔通孔。

本实用新型的实施方式具有如下优点：