[实用新型]一种平面底栅型真空场发射三极管有效
| 申请号： | 201920957679.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209785911U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨超;兰新涛;饶铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市灿升实业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518115 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 薄膜 分隔 第二电极 第一电极 三极管 真空腔 凹台 导电 基底 卡架 通孔 外罩 限位 真空场发射三极管 本实用新型 导电薄膜 电子传输 沟道位置 使用寿命 真空沟道 底栅型 复合式 上表面 限位槽 减小 制备 | ||
1.一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，包括三极管外罩(8)以及设置在三极管外罩(8)内的真空腔(801)，所述真空腔(801)内设置有基底(1)，所述基底(1)上设置有栅极(2)，所述栅极(2)的上表面分别设置有第一电极(4)和第二电极(3)，在所述第一电极(4)和与第二电极(3)之间设置有薄膜卡架(9)，所述薄膜卡架(9)上设置有用于增大使用寿命的复合式导电薄膜(5)；
所述复合式导电薄膜(5)包括对导电真空沟道的制备位置进行限位的导电限位薄膜(6)以及对导电真空沟道进行分隔的辅助限位薄膜(7)。
2.根据权利要求1所述的一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，所述导电限位薄膜(6)上下表面的中心位置处均设置有限位凹槽(601)，所述限位凹槽(601)内设置有沟道限位槽(602)。
3.根据权利要求2所述的一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，所述辅助限位薄膜(7)在靠近导电限位薄膜(6)的一侧表面设置有嵌入限位凹槽(601)内的接入台(701)，且在所述辅助限位薄膜(7)的另一侧表面设置有透过凹槽(703)。
4.根据权利要求3所述的一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，所述接入台(701)的上表面等间距设置有若干个嵌入沟道限位槽(602)内的分隔凹台(702)，在若干个所述分隔凹台(702)之间均设置有分隔卡块(705)。
5.根据权利要求4所述的一种平面底栅型真空场发射三极管，其特征在于，所述分隔凹台(702)上设置有与透过凹槽(703)位置对应的分隔通孔(704)。
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