[实用新型]一种LPDRAM的电源门控电路有效
申请号: | 201920881737.7 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN209747133U | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 吴君;杜艳强;张学渊;朱光伟 | 申请(专利权)人: | 苏州汇峰微电子有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074 |
代理公司: | 32234 苏州广正知识产权代理有限公司 | 代理人: | 谢东<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种LPDRAM的电源门控电路,包括第一电平转换器、第二电平转换器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管,通过上述方式,本实用新型提供的LPDRAM的电源门控电路,既能在深度休眠模式关闭内部电源来减少静态漏电流,又能够适应多种电源电压域的控制处理;在退出深度休眠模式后,同时利用高压信号和NMOS管增强了对内部电源网络的驱动能力,减小版图的面积。 | ||
搜索关键词: | 反相器 电源门控电路 深度休眠模式 本实用新型 电平转换器 内部电源 静态漏电流 电源电压 高压信号 控制处理 驱动能力 减小 退出 网络 | ||
【主权项】:
1.一种LPDRAM的电源门控电路,其特征在于,包括第一电平转换器、第二电平转换器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管,所述的第一电平转换器的输出接到第一反相器的输入,第一反相器的输出接到第二反相器的输入,第二反相器的输出接到第二NMOS管和第一PMOS管的栅端,所述的第二电平转换器的输出连接到第三反相器的输入,第三反相器的输出连接第一NMOS管,所述的第一NMOS管的漏端接到外部电源,所述的第一NMOS管的源端、第一PMOS管的漏端、第二NMOS管的漏端三者相互连接并驱动到内部电源,其中,所述的第一NMOS管的源端和衬底端相互连接,第一PMOS管的源端和衬底端相互连接并接到外部电源。/n
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