[实用新型]一种LPDRAM的电源门控电路有效
| 申请号： | 201920881737.7 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN209747133U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 吴君;杜艳强;张学渊;朱光伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汇峰微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 32234 苏州广正知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢东<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反相器 电源门控电路 深度休眠模式 本实用新型 电平转换器 内部电源 静态漏电流 电源电压 高压信号 控制处理 驱动能力 减小 退出 网络 | ||
1.一种LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，包括第一电平转换器、第二电平转换器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，所述的第一电平转换器的输出接到第一反相器的输入，第一反相器的输出接到第二反相器的输入，第二反相器的输出接到第二NMOS管和第一PMOS管的栅端，所述的第二电平转换器的输出连接到第三反相器的输入，第三反相器的输出连接第一NMOS管，所述的第一NMOS管的漏端接到外部电源，所述的第一NMOS管的源端、第一PMOS管的漏端、第二NMOS管的漏端三者相互连接并驱动到内部电源，其中，所述的第一NMOS管的源端和衬底端相互连接，第一PMOS管的源端和衬底端相互连接并接到外部电源。
2.根据权利要求1所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的第一电平转换器、第一反相器和第二反相器的电源为外部电源。
3.根据权利要求1所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的第二电平转换器和第三反相器的电源为高压信号，所述的高压信号由电荷泵产生。
4.根据权利要求2所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的第一电平转换器和第二电平转换器的输入还接入深度休眠使能信号。
5.根据权利要求4所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的深度休眠使能信号由命令控制模块生成，命令控制模块的电源为外部输入的第二核心电源信号。
6.根据权利要求5所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，当工作在正常状态时，深度休眠使能信号为逻辑0，外部电源直接驱动到内部电源；当工作在深度休眠状态时，深度休眠使能信号为逻辑1，关闭外部电源的驱动电路，并把内部电源的电压下拉到0。
7.根据权利要求1所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的LPDRAM的电源门控电路产生外部输入的第一核心电源VDD1、第二核心电源VDD2、数据I/O驱动电路电源VDDQ分别对应的内部电源网络。
8.根据权利要求7所述的LPDRAM的电源门控电路，其特征在于，所述的第一核心电源VDD1的电压值大于第二核心电源VDD2的电压值。
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