[实用新型]MOS管栅极保护结构有效
| 申请号： | 201920859795.X | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN209731202U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 曹骞;吴敬玉;王坤;袁德方 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/687 |
| 代理公司： | 31002 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁;郑暄<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOS管栅极保护结构，其中，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接，通过串接电感，避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发，并在电路中设置感应电动势吸收模块，对电感产生的感应电动势进行吸收，进一步避免误触发。采用本实用新型涉的MOS管栅极保护结构，具有结构简单，性能好的特点，能够很好地提高电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 感应电动势 保护结构 吸收模块 本实用新型 电路 误触发 毛刺信号 串接 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。/n
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