[实用新型]MOS管栅极保护结构有效
| 申请号： | 201920859795.X | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN209731202U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 曹骞;吴敬玉;王坤;袁德方 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/687 |
| 代理公司： | 31002 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁;郑暄<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 感应电动势 保护结构 吸收模块 本实用新型 电路 误触发 毛刺信号 串接 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。
2.根据权利要求1所述的MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的感应电动势吸收模块包括二极管，所述的二极管的阳极与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接，所述的二极管的阴极与所述的电感中与触发信号连接的一端相连接。
3.根据权利要求1所述的MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的感应电动势吸收模块包括电容，所述的电容一端与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接，所述的电容的另一端接地。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的电感为扼流电感。
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