[实用新型]MOS管栅极保护结构

说明书

本实用新型涉及一种MOS管栅极保护结构，其中，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接，通过串接电感，避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发，并在电路中设置感应电动势吸收模块，对电感产生的感应电动势进行吸收，进一步避免误触发。采用本实用新型涉的MOS管栅极保护结构，具有结构简单，性能好的特点，能够很好地提高电路的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及电路领域，尤其涉及电力电子技术领域，具体是指一种MOS管栅极保护结构。

背景技术

MOS管随着温度的升高，其开启电压VGS(th)降低，当栅极(G极)有很小的毛刺电压时，毛刺电压值很容易达到开启电压VGS(th)的最小值，就会导致MOS管栅极(G极)的误判而开启，造成MOS管漏极(D极)，源极(S极)误导通，导致MOS管后端的电路系统会开启工作，进一步会导致整个电路系统在高温下非正常的工作。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服上述现有技术的缺点，提供了一种结构简单、性能较好的MOS 管栅极保护结构。

为了实现上述目的或其他目的，本实用新型的MOS管栅极保护结构如下：

该MOS管栅极保护结构，其主要特点是，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。

较佳地，所述的感应电动势吸收模块包括二极管，所述的二极管的阳极与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接，所述的二极管的阴极与所述的电感中与触发信号连接的一端相连接。

较佳地，所述的感应电动势吸收模块包括电容，所述的电容一端与所述的电感中与MOS 管的栅极连接的一端相连接，所述的电容的另一端接地。

较佳地，所述的电感为扼流电感。

采用本实用新型的MOS管栅极保护结构，在MOS管的栅极与触发信号的连接处串接一电感，避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发，并在电路中设置感应电动势吸收模块，对电感产生的感应电动势进行吸收，进一步避免误触发。该MOS管栅极保护结构具有结构简单，性能好的特点，能够很好地提高电路的稳定性。

附图说明

图1为一实施例中本实用新型的MOS管栅极保护结构的电路图。

图2为另一实施例中本实用新型的MOS管栅极保护结构的电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。

本实用新型的MOS管栅极保护结构包括电感L及感应电动势吸收模块，所述的电感L 的一端接触发信号，电感L的另一端与MOS管的栅极G相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感L相连接。

在一实施例中，所述的感应电动势吸收模块包括二极管Diode，所述的二极管Diode的阳极与所述的电感L中与MOS管的栅极G连接的一端相连接，所述的二极管Diode的阴极与所述的电感L中与触发信号连接的一端相连接。具体结构可参阅图1所示，图中的MOSFET 即为MOS管，也可称为MOS场效应管。

在另一实施例中，所述的感应电动势吸收模块包括电容，所述的电容一端与所述的电感 L中与MOS管的栅极G连接的一端相连接，所述的电容的另一端接地。具体结构可参阅图2 所示。

其中，所述的电感L为扼流电感。