[实用新型]一种PECVD工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统有效
| 申请号： | 201920843970.6 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN210711732U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王英新;范志东;王峰;杨瑞臣;张硕;丁玲玲;刘玉施;郝晨宇;李晶龙 | 申请（专利权）人： | 承德石油高等专科学校 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 067000 河北省承德*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，包括容器本体10，所述容器本体10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口122连接进气口121。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 工艺 腔室支 管路 装置 及其 所在 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
