[实用新型]一种PECVD工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统有效
申请号: | 201920843970.6 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN210711732U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 王英新;范志东;王峰;杨瑞臣;张硕;丁玲玲;刘玉施;郝晨宇;李晶龙 | 申请(专利权)人: | 承德石油高等专科学校 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/513 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 067000 河北省承德*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 工艺 腔室支 管路 装置 及其 所在 系统 | ||
1.一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:包括容器本体(10),所述容器本体(10)的上部设有密封盖(12),所述密封盖(12)的上方开有进气口(121),排气口(122),所述容器本体(10)内盛放有液体(11),所述进气口(121)连接进气管(20),所述排气口(122)连接进气口(121)。
2.根据权利要求1所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述进气口(121)的一端与支管路(42)通过活动连接件(50)活动连接,所述进气口(121)的另一端设于所述液体(11)的液面下,排气管(30)的一端设于所述液体(11)的液面上方,所述排气管(30)的另一端置于PECVD工艺腔室内。
3.根据权利要求2所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述连接件(50)为快速接头。
4.根据权利要求2所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述进气管(20)设于所述液体(11)的液面上方与所述密封盖(12)之间还设有缓冲段(21)。
5.根据权利要求4所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述缓冲段(21)为“壶状”。
6.根据权利要求5所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述密封盖(12)的上方还设有加液口(123)。
7.根据权利要求2-6任一项所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述液体(11)为不易挥发且不与NH3和SiH4发生反应的液体石蜡。
8.根据权利要求7所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述排气管(30)采用直径为0.01-5cm的管路。
9.根据权利要求8所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置,其特征在于:所述容器本体(10)为透明材质或者设有液位观察装置。
10.一种包含权利要求9所述PECVD设备工艺腔室支管装置的特气系统,其特征在于:还包括主进气管(40),干管路(41)以及支管路(42),所述PECVD设备工艺腔室支管路装置连接在每个所述支管路(42)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于承德石油高等专科学校,未经承德石油高等专科学校许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920843970.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种机械式真空恒压安全保护装置
- 下一篇:使用于马达的含油轴承
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的