[实用新型]一种PECVD工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统

说明书

本实用新型提供了一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，包括容器本体10，所述容器本体10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口122连接进气口121。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池生成技术领域，尤其涉及一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统。

背景技术

太阳能电池作为绿色、环保的新能源受到全世界的广泛关注。全球光伏产业发展非常迅速，国内的光伏产业不断发展壮大。

PECVD是光伏电池生产中的重要环节，其实质为一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。参加反应的气体NH₃和SiH₄被高频电磁波激发成等离子体，如SiH和NH基团，活性基团SiH和NH被传输到基体表面，发生反应生成Si—N网络，其中还可能存在一定量的Si—H和N—H基团，其反应方程式为：

在制备晶硅太阳能电池时，有一道工序是利用PECVD设备在Si片表面生长一层厚度约为70-85nm的蓝色Si₃N₄膜层。但是，在Si片表面生长Si₃N₄膜层时，会在特气孔中同样沉积上Si₃N₄，当设备连续运行100-150小时，随着沉积Si₃N₄数量的增加，特气孔会被堵塞，导致气流大小发生改变从而影响Si片表面沉积 Si₃N₄的均匀性及薄膜质量，进而影响太阳能电池转换效率。因此，需要定期对PECVD设备进行维护，每次维护时间为3-4小时，增加了人力物力成本，同时降低了设备的生产率。

现有技术中的PECVD设备工艺腔室气路系统如附图3所示，特气(SiH₄或NH₃)经主进气管40，进入干管路41，再进入与干管路41连接的支管路42，支管路42则直接进入工艺腔室，随着设备运行100-150小时，任意一个支管路 42特气孔发生堵塞，将导致其它支管路42的特气孔的气体流量发生改变，进而使工艺腔室中的气体分布不均匀，影响了Si片表面沉积Si₃N₄的均匀性及薄膜质量，进而影响太阳能电池转换效率。

针对该问题，实际生产过程中需对设备进行定期维护，利用钻头将特气孔打通，既增加了人力维护成本，又增加了设备维护时长，降低了设备的生产率。

因此，亟需一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，解决现有技术中存在的诸多问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，具体方案如下：

一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，包括容器本体10，所述容器本体 10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口 122连接进气口121。

进一步的，所述进气口121的一端与支管路42通过活动连接件50活动连接，所述进气口121的另一端设于所述液体11的液面下，所述排气管30的一端设于所述液体11的液面上方，所述排气管30的另一端置于PECVD工艺腔室内。

具体的，所述连接件50为快速接头。

进一步的，所述进气管20设于所述液体11的液面上方与所述密封盖12之间还设有缓冲段21。

具体的，所述缓冲段21为“壶状”。

具体的，所述密封盖12的上方还设有加液口123。