[实用新型]半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 201920834726.3 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN209804637U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 吕娇;陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/528
代理公司: 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人: 史治法
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种半导体封装结构,半导体封装结构包括:基底;牺牲层,位于基底的上表面;重新布线层,位于牺牲层的上表面;芯片,倒装合于重新布线层的上表面;第一电连接结构,位于重新布线层的上表面;第一塑封层,位于重新布线层的上表面,且将芯片及所述第一电连接结构塑封;第二电连接结构,位于第一塑封层上;第二塑封层,位于第一塑封层上,且将第二电连接结构塑封;顶层金属线层,位于第二塑封层上;翘曲调整层,位于基底的下表面。本实用新型的半导体封装结构的翘曲调整层可以补偿和抵消塑封材料层形成后导致的翘曲,从而减小甚至消除半导体封装结构的翘曲。
搜索关键词: 上表面 塑封层 半导体封装结构 电连接结构 重新布线层 翘曲 基底 本实用新型 调整层 牺牲层 塑封 芯片 顶层金属线 塑封材料 下表面 倒装 减小 抵消
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:/n基底;/n牺牲层,位于所述基底的上表面;/n重新布线层,位于所述牺牲层的上表面;/n芯片,倒装合于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;/n第一电连接结构,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;/n第一塑封层,位于所述重新布线层的上表面,且将所述芯片及所述第一电连接结构塑封;/n第二电连接结构,位于所述第一塑封层上,且与所述第一电连接结构电连接;/n第二塑封层,位于所述第一塑封层上,且将所述第二电连接结构塑封;/n顶层金属线层,位于所述第二塑封层上,且与所述第二电连接结构电连接;/n翘曲调整层,位于所述基底的下表面。/n
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